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Ces travaux de recherche se rapportent ŕ l'étude de transistors HEMTs en Nitrure de Gallium pour l'amplification de puissance micro-onde. Une étude des caractéristiques des matériaux grand gap et plus particuličrement du GaN est réalisée afin de mettre en exergue l'adéquation de leurs propriétés pour des applications de puissance hyperfréquence telle que l'amplification large bande. Dans ce contexte, des résultats de caractérisations et modélisations électriques de composants passifs et actifs sont présentés. Les composants passifs dédiés aux conceptions de circuits MMIC sont décrits et différentes méthodes d'optimisation que ce soit au niveau électrique ou électromagnétique sont explicitées. Les modčles non linéaires de transistors impliqués dans nos conceptions sont de męme détaillés. Le fruit de ces travaux concerne la conception d'amplificateurs distribués de puissance large bande ŕ base de cellules cascode de HEMTs GaN, l'un étant reportés en flip-chip sur un substrat d'AlN, le second en technologie MMIC. La version MMIC permet d'atteindre 6.3W sur la bande 4-18GHz ŕ 2dB de compression. Ces résultats révčlent les fortes potentialités attendues des composants HEMTs GaN.

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Zařazení knihy Knihy ve francouzštině LITTÉRATURE GÉNÉRALE Essais littéraires

• Plný název: Electronique des hautes frequences
• Autor: Audrey Martin
• Jazyk: Francouzština
• Vazba: Brožovaná
• Počet stran: 232
• EAN: 9786131550058
• ISBN: 6131550050
• ID: 07006001
• Nakladatelství: Omniscriptum
• Hmotnost: 345 g
• Rozměry: 229 × 152 × 13 mm
• Datum vydání: 28. February 2018

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